中芯国际和常忆科技宣布推出中芯国际0.18微米嵌入式闪存工艺技术和 IP 包
 

    上海2009年6月2日电 /美通社亚洲/ -- 中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”，纽约证交所股票代码：SMI，香港联合交易所股票代码：981）,世界领先的集成电路制造公司之一，与领先的非易失性内存产品和 IP 供应商常忆科技今日共同宣布，已成功推出中芯国际0.18微米嵌入式闪存工艺技术和 IP 組合包。    基于常忆科技第三代 2T PMOS flash (pFLASH(TM)) 单元结构专利，中芯国际的0.18微米嵌入式快闪记忆体工艺，是芯片代工领先业者和嵌入式非挥发性记忆体专业厂商紧密合作的成果，现已全面通过认证并即将批量生产。这一工艺技术可为客户提供高性能，符合成本效益的非挥发性记忆体解决方案，具有高耐性（多达100K 的周期）和数据保存长久（可达10年）的优势，已通过品质验证并达成高良率目标。

    凭借其低功耗，面积小，配置灵活的优点，0.18微米嵌入式快闪记忆体工艺对客户极具吸引力，可参与广泛的应用，如微控制器，USB 钥匙，智能卡，以及快速成长的汽车电子应用。客户可将0.18微米技术作为一个起点，如已用更大的技术节点生产，也可快速切入该先进技术进行设计 。

    “由于潜在的市场规模及广泛的应用，尤其是在中国，0.18微米嵌入式闪存工艺技术的推出具有重要意义。”中芯国际市场及业务中资深副总裁陈秋峰博士表示，“作为全球领先的代工厂商，中芯国际可提供嵌入式闪存和 EEPROM 技术以充分满足我们客户的需求。”

    “这项先进的新技术能使客户开发出高性能的产品并取得显著的成本效益”，常忆科技总裁兼首席执行官王筱瑜表示。“我们很高兴与中芯国际合作，在如此短的时间内成功建立了第三代 pFLASH 平台。”

    关于中芯国际

    中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”， 纽约证交所股票代码：SMI，香港联合交易所股票代码：981），是世界领先的集成电路芯片代工企业之一，也是中国内地规模最大、技术最先进的集成电路芯片代工企业。中芯国际向全球客户提供0.35微米到45纳米芯片代工与技术服务。中芯国际总部位于上海，在上海建有一座300mm 芯片厂和三座200mm 芯片厂。在北京建有两座300mm 芯片厂,在天津建有一座200mm 芯片厂，在深圳有一座200mm 芯片厂在兴建中，在成都拥有一座封装测试厂。中芯国际还在美国、欧洲、日本提供客户服务和设立营销办事处，同时在香港设立了代表处。此外，中芯代成都成芯半导体制造有限公司经营管理一座200mm 芯片厂，也代武汉新芯集成电路制造有限公司经营管理一座300mm 芯片厂。详细信息请参考中芯国际网站 http://www.smics.com 。 

    关于 Chingis 科技公司

    Chingis 科技是一家无制造厂的半导体厂商，采用 JEDEC 标准，主营用于计算、数字产品、无线和网络应用中的闪存和其它类型嵌入式存储产品（如 OTP/MTP/Flash/EEPROM）。Chingis 称得上是 P-channel 非挥发性记忆体技术方面的先驱者。1995年在美国加州圣荷塞市，Chingis 曾以 pFLASH-Chingis 专有的 P-Channel 技术为基础，生产出质量最好的，最耐用的低功耗非挥发性存储器。在全球，Chingis 在计算、网络、系统集成芯片 (SoC) 、微处理器、微控制器、电讯和植入式应用方面拥有的专利超过42个。其中 pFlash 和 pFusion 是 Chingis 科技公司的注册商标。更多信息，敬请参阅 Chingis 公司网 http://www.chingistek.com
 

消息来源  中芯国际集成电路制造有限公司